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ヘキサゴナルBDD単電子論理回路のためのGaAs単電子節点デバイスの検討

机译:用于六边形BDD单电子逻辑电路GaAs单电子节点装置的检查

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摘要

超低消費電力単電子論理回路の実現を目指し、独自のヘキサゴナルBDD量子論理回路を実装する単電子節点デバイスについて検討を行った。 Y字型のGaAsエッチングナノ細線構造をナノサイズのショットキーラップゲートで制御する構造を用い、2つの量子ドットを利用したブランチスイッチ型と単一の量子ドットを有するノードスイッチ型の2つのタイプの素子を設計?試作?評価した。得られた結果に基づき、集積度、プロセス、消費電力等の観点からヘキサゴナルBDD回路に適したデバイス構造について議論する。
机译:旨在实现超低功耗单电子逻辑电路,我们检查了安装其自己的六边形BDD量子逻辑电路的单个电子节点装置。 两种类型的节点开关类型使用两个量子点使用两个量子点,该结构使用纳米射击钥匙包装栅极控制Y形GaAs蚀刻纳米结构,两种类型的节点开关类型,单量子点设计一个元素?原型?评估。 根据所产生的结果,我们从集成,工艺,功耗等的观点来看,我们讨论适用于六边形BDD电路的器件结构。

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