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【24h】

化学溶液析出法による無添加及びLi添加CuO薄膜の成長と構造及び電気的特性

机译:由化学溶液加工方法不添加添加剂CuO薄膜的生长和结构和电性能

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摘要

硝酸銅(II)三水和物及び硝酸リチウムの浪合水溶液を用いた化学溶液析出法(CBD法)によって金(Au)シード層上に無添加及びリチウム(Li)添加酸化銅(II)(CuO)薄膜を成長した.無添加及びLi添加CuO薄膜の表面はともにランダムに分布したニードル状ナノ構造で覆われており,断面はプレート状構造から構成されていた.無添加薄膜では,Auシード層の結晶粒サイズの増加とともにニードル状ナノ構造のサイズが増大し,抵抗率は減少した.しかしながら,ニードル状ナノ構造のサイズと抵抗率に溶液濃度依存性は見出されなかった.Li添加薄膜においては,LiNO_3濃度の増加に伴ってニードル状ナノ構造のサイズの増加し,抵抗率はLiNO_3濃度3~5μMの範囲で最小となった.
机译:化学溶液沉淀法(CBD方法)使用聚硝酸盐(II)三水合物和硝酸锂水溶液(CBD方法),并加入并加入并加入锂(Li)添加剂铜(II)(CuO薄膜。 未添加和锂添加的CuO薄膜表面覆盖有随机分布的针状纳米结构,并且横截面由板状结构构成。 在没有添加的薄膜中,针状纳米结构的尺寸随着Au种子层的晶粒尺寸的增加而增加,电阻率降低。 然而,没有发现针状纳米结构的尺寸和电阻率的溶液浓度依赖性。 在锂添加的薄膜中,针状纳米结构的尺寸随着LinO_3浓度的增加而增加,并且在LinO_3浓度3至5μm的范围内最小化电阻率。

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