机译:第一种方法使用自旋管振荡器(STO)作为再现头的磁传感器[4-9],抑制了上述磁热噪声,并且禁止自旋扭矩噪声,并且GMR(TMR)元件是抑制。与使用的再现头相比,可以获得高Sn比。另外,由于STO磁传感器检测到介质磁场作为振荡频率的变化,因此响应时间不限于弛豫时间,并且可以高速传输5 Gbit / s [5,6]。该方法已被HGST和东芝提出,并且在两家公司都独立开发了开发。根据第一方法的记录密度的极限被认为是由于器件制造的光刻限制,并且对应于元件尺寸10nm×10nm的约5 tb / in 2。第二种方法试图通过三维(3D)来分解该限制,并选择性地再现多层记录介质的每层中的记录并选择性地再现[10]。被认为是可以扩展目前正在开发的微波辅助技术[11,12]的选择性写入,但选择性再生是不同于从介质中检测泄漏磁场的传统方法。媒体比特使用磁共振现象进行
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