Mg_(1-x)Zn_xO障壁を用いた磁気トンネル素子の磁気抵抗効果

摘要

HDDの再生ヘッドに用いられるMTJ素子は、高感度化のための高TMR比と高速応答のための低抵抗化が求められている。MgOを用いたMTJ素子は最大604％の高いTMR比を持つ一方、約7.8eVという高いバンドギャップのため低抵抗化は困難である。そこで我々は、高いTMR比と低抵抗の両立を目指し、高いTMR 比に求められる岩塩構造とMgOよりも小さいバンドギャップを持つMg_(1-x)Zn_xOをトンネル障壁に用いた。本研究では、Mg_(1-x)Zn_xOトンネル障壁の結晶構造とMTJ素子のTMR特性の関係について調査した。