FeCoへのVN添加による正方晶構造の安定化と一軸磁気異方性

摘要

永久磁石や磁気記録媒体の機能向上のためには、高い結晶磁気異方性定数（K_u)と高い飽和磁化（M_s)を兼ね備えた材料の開発が必須である。筆者らの研究室ではこれまでに、格子ミスフィットが比較的大きなRh とFeCoの組合せで、Rhバッファ上にFeCo薄膜をエピタキシャル成長させることで、bcc FeCo格子に対して軸比c/a ≈ 1.2の正方晶歪みを導入し、10~6 J/m~3オーダーの高K_uが得られることを報告している[1]。しかしこの格子ミスフィットを利用する手法では、膜厚(t)が5 nm程度で格子緩和が生じて元のbcc FeCoに戻ってしまう。そこで本研究では、第三元素添加による正方晶構造の安定化を目的として、VN添加を行った。