Особенности поведения МДП мемристоров с нанослоем Si_3N_4, изготовленных на основе проводящей подложки Si

摘要

Изучено влияние материала металлических обкладок (Аи, Та, W) и освещения мощным синим лазером на характеристики мемристивных МДП конденсаторов с пленкой Si_3N_4 толщиной 6 нм, полученных на основе n~+-Si. Показано, что биполярное переключение током проявляется только в конденсаторах с Аи. Объяснены причины отсутствия биполярного переключения в конденсаторах с Та и W. Обнаружено переключение конденсаторов с Та током и освещением и обнаружен эффект фотопамяти. Показано, что, несмотря на высокую степень легирования подложки полупроводника, она уменьшает быстродействие МДП мемристоров из-за высокой плотности поверхностных состояний, локализованных на границе Si_3N_4/n~+-Si. Однако освещение позволяет значительно увеличивать быстродействие за счет уменьшения сопротивления полупроводника Определены значения плотности поверхностных состояний. Для улучшения частотных характеристик МДП мемристоров необходимо получать низкую плотность поверхностных состояний.