Формирование нанокристаллов кремния в многослойных нанопериодических структурах Al_20_3/Si0_x/Al_20_3/Si0_x/.. ./Si(100) по данным синхротронных исследований и фотолюминесценции

摘要

Представлены результаты исследования методом спектроскопии ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения (X-ray absorption near edge structure spectroscopy technique, XANES) с использованием синхротронного излучения многослойных нанопериодических структур (МНС) Al_2O_3/SiC_X/Al_2O_3/SiO_x/.. ./Si(100), отожженных при температурах 500-1100°С. По данным XANES, об-наружена модификация структур под действием высокотемпературного (~ 1100°С) отжига, объясняемая формированием нанокристаллов кремния в глубинных слоях. При этом наноструктуры характеризовались интенсивной размерно-зависимой фотолюминесценцией в области энергий ~ (1.4—1.52) эВ.