...
首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Сверхвысокочастотные полевые транзисторы на основе нитридов III группы
【24h】

Сверхвысокочастотные полевые транзисторы на основе нитридов III группы

机译:技术基于III族氮化物微波场效应管

获取原文
获取原文并翻译 | 示例

摘要

Обсуждаются концепция конструирования и основные свойства экспериментальных двойных гетерострук-тур AlGaN/GaN/AlGaN с двумерным электронным каналом, полученных методом аммиачной молекулярио-лучевой эпитаксии на подложках сапфира. Разработаны основы постростовой технологии полевых сверхвысокочастотных транзисторов на основе нитридов III группы, включающие в себя формирование меза-изоляции и цикл изготовления омических контактов и барьера Шоттки. Первые полевые транзисторы, изготовленные из указанных гетероструктур, имеют полный набор статических характеристик и демонстрируют работоспособность в режиме малых сверхвысокочастотных сигналов на частоте 8.15 ГГц.
机译:讨论了通过氨分子辐射外延上的二维电子信道的实验双羟基呼吸景观 - Tour Algan / GaN / AlGaN的设计和主要性质的概念。基于III族氮化物的现场超高频晶体管的后级技术的基础,包括形成MESA隔离和欧姆触点的生产循环和肖特基屏障。由所述异质结构制造的第一场晶体管具有完整的静态特性,并以8.15GHz的频率在小超频信号中展示性能。

著录项

  • 来源
  • 作者单位

    ЗАО "Научное и технологическое оборудование" 194156 Санкт-Петербург Россия;

    ЗАО "Научное и технологическое оборудование" 194156 Санкт-Петербург Россия;

    ЗАО "Научное и технологическое оборудование" 194156 Санкт-Петербург Россия;

    ЗАО "Научное и технологическое оборудование" 194156 Санкт-Петербург Россия;

    ЗАО "Научное и технологическое оборудование" 194156 Санкт-Петербург Россия;

    ЗАО "Научное и технологическое оборудование" 194156 Санкт-Петербург Россия;

    ЗАО "Научное и технологическое оборудование" 194156 Санкт-Петербург Россия;

    ЗАО "Научное и технологическое оборудование" 194156 Санкт-Петербург Россия;

    ЗАО "Научное и технологическое оборудование" 194156 Санкт-Петербург Россия;

    ЗАО "Научное и технологическое оборудование" 194156 Санкт-Петербург Россия;

    ATC "Semiconductor Technologies and Equipment" 194156 box 29 St. Petersburg Russia;

    ATC "Semiconductor Technologies and Equipment" 194156 box 29 St. Petersburg Russia;

    ATC "Semiconductor Technologies and Equipment" 194156 box 29 St. Petersburg Russia;

    ATC "Semiconductor Technologies and Equipment" 194156 box 29 St. Petersburg Russia;

    ATC "Semiconductor Technologies and Equipment" 194156 box 29 St. Petersburg Russia;

    ATC "Semiconductor Technologies and Equipment" 194156 box 29 St. Petersburg Russia;

    ATC "Semiconductor Technologies and Equipment" 194156 box 29 St. Petersburg Russia;

    ATC "Semiconductor Technologies and Equipment" 194156 box 29 St. Petersburg Russia;

    ATC "Semiconductor Technologies and Equipment" 194156 box 29 St. Petersburg Russia;

    ATC "Semiconductor Technologies and Equipment" 194156 box 29 St. Petersburg Russia;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 rus
  • 中图分类 半导体物理学 ;
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号