НОВЫЕ АКЦЕПТОРНЫЕ ЦЕНТРЫ ФОНОВЫХ ПРИМЕСЕЙ В P-CDZNTE

摘要

Низкотемпературная фотолюминесценция была использована для исследования перераспределения фоновых примесей и основных компонентов монокристаллов CdZnTe p-типа проводимости с удельным сопротивлением 1-50 Ом·см при взаимодействии с лазерным инфракрасным излучением. Установлен эффект увеличения ширины запрещенной зоны и образования новых акцепторных центров в результате лазерно-стимулированных изменений в системе собственных дефектов. Найдена энергия активации новых акцепторных уровней.