Определение времени жизни неосновных носителей заряда в слитках кремния по релаксации фотопроводимости, измеренной на сверхвысоких ча

摘要

Предлагается новый метод определения объемного времени жизни неосновных носителей заряда в слитках монокристаллического кремния. Измеренный на сверхвысокой частоте сигнал фотопроводимости, нормированный по его начальному значению, сравнивается с результатами расчета полного числа избыточных носителей заряда N(t)/N_(st), где N_(st) соответствует квазистационарной фотопроводимости. Местоположение точки пересечения кривой релаксации фотопроводимости и зависимости N(τ - t)/N_(st) определяет объемное время жизни τ = τ_v. Измерения проводились на слитках кремния, полученных методом бестигельной зонной плавки и методом Чохральского, с различной величиной удельного электрического сопротивления. Представленные результаты измерений хорошо согласуются с расчетом.