Кристаллизационная способность,оптические и электрические свойства халькогенидныхстеклообразных полупроводников Ge_(10_(Se-Te)_(90) и Ge_(30)(Se-Te)_(70)

摘要

Синтезированы халькогенидные стеклообразные полупроводники тройной системы Ge-Se-Te по разрезам Ge_(10)(Se-Te)_(90) и Ge_(30)(Se-Te)_(70). Исследованы кристаллизационная способность, спектры пропускания в ближней инфракрасной области спектра и температурная зависимость электропроводности полученных сплавов. Показано, что халькогенидные стеклообразные полупроводники разреза Ge_(10)(Se-Te)_(90) обладают меньшей температурой размягчения и кристаллизации по сравнению с полупроводниками разреза Ge_(30)(Se-Te)_(70). Зарегистрировано изменение на несколько порядков электропроводности образцов при фазовом переходе из стеклообразного в кристаллическое состояние. Найдены составы халькогенидных стеклообразных полупроводников системы Се-Sе-Те, имеющие в области длин волн λ≈1.5 мкм коэффициент поглощения < 1 см~(-1) и характеризующиеся термически индуцированным фазовым переходомстеклообразное—кристаллическое состояние.