Радиационные повреждения контактных структурc диффузионными барьерами, подвергнутых у-облyчeнию 60Со

摘要

Рассмотрено влияние ионизирующего излучения y-квантамй 60Со. в диапазоне- доз 104-2- 109 рад наконтакты металл—полупроводник Аи-ZrB_x-AlGaN/GaN и Аи—TiBx—Al—Ti—п-GaN, a также диодов Шоттки Au-ZrB_x-n-GaN. Контакты c диффузионными барьерами TiBx и ZrBx при воздейcтвии ионизирующейрадиации не деградируют до доз < 108 рад. Диоды Шотгки Аи—ZгВх—п-СаN остаются стабильными в диапазоне доз 10~4-10~6 рад. C увеличением дозы обл:"ения > 108 рад возрастает дефектность контактной металлизации, сопровождающаяся образованием cквoзныx пор, что способствует скоплению кислорода награницах раздела Au-ZrB_x (TiB_x) и возрастанию массопереноса атомов контактообразующих слоев. Приэтом наблюдается радиационная дегрaдация диодов Шоттки. Проанализированы возможные механизмы радиационного повреждения контактных структур c диффузионными барьерами.