...
机译:的具有高泵浦电流密度的场致发光LED的AlGaInN异质结构的效率下降的原因分析
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;
Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;
Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;
机译:第四纪AlGaInN层的生长,表征以及基于AlGaInN的紫外发光二极管的性能
机译:通过改变反应离子蚀刻期间的气体混合物组合物改变AlGainn LED的表面轮廓
机译:具有AlGaInN势垒的InGaN量子阱的增益特性
机译:高功率的AlGainn LED在高脉冲电流密度下操作(最多7 ka / cm2)
机译:III氮化物光电器件:从紫外和可见波长到太赫兹体制的AlGaInN间隙工程。
机译:使用第一性原理计算研究六角相和立方相AlGaInN合金的结构和电子性能
机译:利用AlGainn障碍获得IngaN量子孔的特征