Полупроводниковые структуры с одномерным квантовым каналом и планарными боковыми затворами, созданные методом импульсной силовой нанолитографии

摘要

Квазиодномсрныс полупроводниковые структуры с изменяемым продольным потенциальным рельефом созданы методом импульсной силовой нанолитографии, выполняемой с использованием атомно-силового микроскопа. Структуры изготавливались на основе гстсроструктур AIGaAs/GaAs с глубоким (130 нм от поверхности) залеганием двумерного электронного газа. Потенциальный профиль канала формировался с помощью секционированных планарных затворов, созданных по обеим сторонам канала. 'Электрические параметры полученных структур, измеренные при температурах до 1.5 К, подтвердили эффективность примененного метода для создания изолирующих областей с латеральными размерами ~ 10 нм.