Электрические и фотоэлектрические свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе Si с наночастицами Аи на границе раздела диэлектрик/полупроводник

摘要

Показано, что формирование наночастиц Аи на фанице раздела диэлектрик/кремний в структурах с высокой плотностью поверхностных состояний приводит к смещению энергии закрепления уровня Ферми на этой границе раздела к потолку валентной зоны кремния и увеличению плотности поверхностных состояний при энергиях, близких к уровню Ферми. На кривых фоточувствитсльности конденсаторной фотоэде при этом появляется полоса с максимумом при 0.85 эВ, которая объясняется фотоэмиссисй электронов и состояний, примыкающих к потолку валентной зоны кремния и образованных наночастиц Аи.