Гигантская отрицательная фотопроводимость пленок PbSnTe: In с краем чувствительности вблизи З0 мкм

А.Н. Акимов; А.Э. Климов; С.В. Морозов; С.П. Супрун; B.C. Эпов; А.В. Иконников; М.А. Фадеев; В.В. Румянцев

首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Гигантская отрицательная фотопроводимость пленок PbSnTe: In с краем чувствительности вблизи З0 мкм

【24h】

Гигантская отрицательная фотопроводимость пленок PbSnTe: In с краем чувствительности вблизи З0 мкм

机译：巨底片光电导PbSnTe：在靠近边缘Z0微米的灵敏度

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

获取外文期刊封面目录资料

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

文献数据库（团队版） >>

页面导航

摘要
著录项
引文网络
相似文献
相关主题

摘要

Представлены экспериментальные результаты исследований динамики фотопроводимости пленок PbSnTe:In с высоким содержанием SnTc и с соответствующим краем фундаментального поглощения вблизи 30 мкм при гелиевых температурах. Рассмотрены возможные причины гигантской (выше 2 порядков) отрицательной фотопроводимости образцов.

机译：提出了Psnte光电导性动力学的实验结果：在具有高SNTC含量的薄膜中，呈氦温度下与30μm附近的相应边缘。考虑了样品的负光电导性的巨大（高于2个订单）的可能原因。

著录项

来源
《Физика и техника полупроводников》 |2016年第12期|共7页
作者
А.Н. Акимов; А.Э. Климов; С.В. Морозов; С.П. Супрун; B.C. Эпов; А.В. Иконников; М.А. Фадеев; В.В. Румянцев;
展开▼
作者单位

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирское отделение Российской академии наук 630090 Новосибирск Россия;

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирское отделение Российской академии наук 630090 Новосибирск Россия;

Институт физики микроструктур Российской академии наук 630950 Нижний Новгород Россия;

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирское отделение Российской академии наук 630090 Новосибирск Россия;

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирское отделение Российской академии наук 630090 Новосибирск Россия;

Институт физики микроструктур Российской академии наук 630950 Нижний Новгород Россия;

Институт физики микроструктур Российской академии наук 630950 Нижний Новгород Россия;

Институт физики микроструктур Российской академии наук 630950 Нижний Новгород Россия;

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 rus
中图分类半导体物理学;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Surface chemical treatment effect on (111) PbSnTe < In > Topological crystalline insulator films [J] . Tarasov A. S., Ishchenko D. V., Akhundov I. O., Applied Surface Science . 2021,第Deca15期

机译：表面化学处理效果（111）PBSNTE 拓扑结晶绝缘膜
2. Структурный фазовый переход и проявление вихревых токов в ИК спектрах отражения полупроводниковых пленок PbSnTe [J] . Квантовая электроника: Ежемес. журн. . 2020,第3a573期

机译：PSNTE半导体膜反射IR光谱中涡流电流的结构相转变与表现
3. Modification of the Surface Properties of PbSnTe < In & rang; Epitaxial Layers with Composition near Band Inversion [J] . Tarasov A. S., Ishchenko D. V, Akimov A. N., Technical physics . 2019,第11期

机译：改性PBSNTE
4. XPS and RHEED Study of Chemically Treated PbSnTe Surface [C] . Andrey S. Tarasov, Igor O. Akhundov, Vladimir A. Golyashov, International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices . 2019

机译：化学处理过的PbSnTe表面的XPS和RHEED研究
5. Зависимость топологии эпитаксиальных слоев PbSnTe:In от концентрации In [O] . Д.В. Ищенко, А.Н. Акимов, И.О. Ахундов, 2021

机译：外延层PBSNTE的拓扑的依赖性：在浓度中
6. Detectores Fotovoltaicos de PbSnTe Para Operacao NA Faixa DOS 2 Aos 14 Micron (PbSnTe Photovoltaic Detectors for Operation in the 2-14 Micrometer Band) [R] . Boschetti, C., An, C. Y., Abramof, E., 1987

机译：Detectores Fotovoltaicos de pbsnTe para Operacao Na Faixa DOs 2 aos 14微米（用于2-14微米波段操作的pbsnTe光伏探测器）

Гигантская отрицательная фотопроводимость пленок PbSnTe: In с краем чувствительности вблизи З0 мкм

摘要

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅