МЕТАМОРФНЫЕ БРЭГГОВСКИЕ ОТРАЖАТЕЛИ СПЕКТРАЛЬНОГО ДИАПАЗОНА 1440-1600 НМ: ЭПИТАКСИЯ, ФОРМИРОВАНИЕ И ЗАРАЩИВАНИЕ МЕЗАСТРУКТУР

摘要

Показана возможность создания метаморфных распределенных брэгговских отражателей In_(0.3)Ga_(0.7)As/In_(0.3)Al_(0.7)As с полосой отражения 1440-1600 нм и с коэффициентом отражения не менее 0.999 на подложке GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Продемонстрированы возможность заращивания методом молекулярно-пучковой эпитаксии мезаструктур, изготовленных из метаморфных распределенных брэгговских отражателей на подложке GaAs, а также возможность локального формирования микрорезонаторов за два эпитаксиальных процесса. Полученные результаты найдут широкое применение при формировании вертикально-излучающих лазеров (ВИЛ) с захороненным туннельным переходом.