Электронные свойства облученного реакторными нейтронами и уровень зарядовой нейтральности GaSb

摘要

Исследованы электронные свойства и предельное положение уровня Ферми в кристаллах p-GaSb, облу- ченных полным спектром реакторных нейтронов до флюенсов 8.6 ? 10~(18) см~(-2). Показано, что облучение GaSb реакторными нейтронами приводит к росту плотности свободных дырок до значений p_(lim) = (5-6) ? 10~(18) см~(-3) и закреплению уровня Ферми в предельном положении F_(lim) вблизи E_V + 0.02 эВ при 300 К. В интервале температур 100-550 °С исследован отжиг радиационных дефектов.