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【24h】

Photosensitivity of pSin(GaSb)1- x - y(Si2)x(GaAs)y, pSin(GaSb)1- x - y(Si2)x(GaAs)y,n(GaSb) Structures

机译:pSin(GaSb)1-x-y(Si2)x(GaAs)y,pSin(GaSb)1-x-y(Si2)x(GaAs)y,n(GaSb)结构的光敏性

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摘要

Two-stage buffer n(GaSb)1 - x - y(Si2)x(GaAs)y and perfect n(GaSb) layers are grown on an pSi substrate by liquid-phase epitaxy from a tin solution-melt. It is shown that the photosensitivity of the pSi-n(GaSb)1 - x - y(Si2)x(GaAs)y structures is in the spectral range 1.0-1.6 eV, and that of the pSi - n (GaSb)1 - x - y(Si2)x(GaAs)y - nGaSb) structures is in the range 0.62-1.15 eV. [PUBLICATION ABSTRACT]
机译:通过液相外延从锡溶液熔体在pSi衬底上生长两级缓冲n(GaSb)1-x-y(Si2)x(GaAs)y和完美的n(GaSb)层。结果表明,pSi-n(GaSb)1-x-y(Si2)x(GaAs)y结构的光敏性在1.0-1.6 eV的光谱范围内,而pSi-n(GaSb)1- x-y(Si 2)x(GaAs)y-nGaSb)结构在0.62-1.15 eV的范围内。 [出版物摘要]

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