Влияние низкодозного протонного облучения на характеристики инжекционных диодов на основе 4H-SiC

摘要

Исследовано влияние низкодозного протонного облучения (доза облучения 10~(10)-1.8 ? 10~(11) см~(-2)) на вольт-фарадные характеристики, прямые вольт-амперные характеристики и характеристики обратного восстановления высоковольтных диодов с р-и_о-переходом на основе 4H-SiС. Облучение проводилось протонами с энергией 1.8 МэВ через никелевую пленку толщиной Юмкм (энергия протонов и толщина № пленки выбирались так, чтобы пробег протонов в карбиде кремния приблизительно равнялся глубине залегания р-и_о-перехода). Показано, что протонное облучение в указанных дозах: 1) не вызывает сколько-нибудь заметного уменьщения концентращ1и основных носителей в диодах; 2) кардинально уменьшает время жизни неравновесных носителей при низком уровне инжекции (в десятка раз при максимальной дозе облучения); 3) уменьшает заряд обратного восстановления диодов при высоком уровне инжекции (до трех раз при максимальной дозе облучения).