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赵妙; 孙孟相;
中国科学院半导体研究所;
北京;
100083 中国科学院半导体研究所;
100083;
超辐射发光二极管(SLD); 辐照损伤; 出光功率; TRIM程序; 注量;
机译:40 MeV大剂量质子辐照对InGaN发光二极管电致发光和电性能的影响
机译:质子辐射对超发光二极管(SLD)的影响
机译:高能质子辐照对GaN电离辐射探测器性能的影响
机译:中子辐射损伤模型的建立以及中子和质子辐照对硅探测器宏观性能影响的比较
机译:隔离辐射诱发的偏析在质子辐照奥氏体不锈钢的辐照辅助应力腐蚀开裂中的作用。
机译:微观In波动对InxGa1-xN蓝色发光二极管的光学性能的影响通过同步加速器辐射的低能X射线荧光图评估
机译:mg掺杂alN / alGaN超晶格对p-GaN接触层性能和深紫外发光二极管性能的影响
机译:质子和中子辐照后温度对候选sNs靶容器材料力学性能的影响
机译:同步回旋加速器质子对航空航天工程电子的辐射快速辐照
机译:脉冲辐射检测和测量装置,例如在医学领域中,质子加速器具有同步单元,该同步单元使发生器与源同步,从而在辐照检测器时将偏振场施加到检测器上。
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