ПЕРЕНОС НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В СВЕТОДИОДАХ НА ОСНОВЕ МНОЖЕСТВЕННЫХ КВАНТОВЫХ ЯМ (AL_XGA_(1- X))_(0. 5)IN_(0. 5)P/(AL_(0. 54)GA_(0.46))_(0. 5)IN_(0. 5)P~1

摘要

Представлены результаты экспериментальных исследований прямых вольт-амперных характеристик светодиодов с активной областью из множественных квантовых ям (Al_xGa_(1-x))_(0.5)In_(0. 5)P/(Al _(0.54)Ga_(0.46))_(0.5)In_(0.5)P. Эксперимент показал, что увеличение числа квантовых ям и уменьшение содержания Al в твердом растворе Al_xGa_(1- x) приводят к росту прямого тока при фиксированном напряжении. Согласно проведенному анализу, интерпретация полученного результата возможна при использовании теории диффузионного переноса заряда в двойной гетероструктуре с узкозонным слоем, толщина которого многократно превышает толщину одной квантовой ямы. Предложенный подход учитывает перенос носителей в активной области с множественными квантовыми ямами за счет их туннелирования через барьеры.