基于 BaTiO3和 Hf0.5Zr0.5O2薄膜的忆阻器及神经突触仿生研究

目录

声明

第一章 绪论

1.1 引言

1.2 铁电存储器

1.2.1 铁电存储器研究进展

1.3 磁存储器

1.4 相变存储器

1.5 阻变存储器

1.5.1 阻变存储器的阻变机制

1.5.2 阻变材料

1.5.3 阻变存储中的多阻态研究

1.6 神经突触仿生器件研究意义

1.7 本文的研究意义和主要内容

第二章 实验方法

2.1.1 磁控溅射仪器

2.1.2 脉冲激光沉积技术

2.2 测试和表征仪器简要说明

2.3 实验方法步骤

2.3.1 Pd/BTO/LSMO/Mica器件制备过程

2.3.2 Pd/HZO/TiN/Si器件制备过程

2.3.3 Pd/HZO/LSMO器件制备过程

第三章 基于BaTiO3的柔性阻变存储器研究

3.1 Pd/BTO/LSMO/Mica器件表征

3.2 Pd/BTO/LSMO/Mica器件测试结果与分析

3.3 Pd/BTO/LSMO/Mica器件阻变机制研究

3.4 本章总结

第四章 高度择优取向Hf0.5Zr0.5O2薄膜电阻存储器件特性的研究

4.1 Pd/HZO/TiN/Si器件测试结果与分析

4.2 Pd/HZO/TiN/Si器件神经突触仿生特性

4.3 Pd/HZO/TiN/Si器件机制分析

4.4 本章总结

第五章 基于衬底应力与氧压控制的Hf0.5Zr0.5O2薄膜忆阻器特性研究

5.1 Pd/HZO/LSMO器件测试结果与分析

5.2 Pd/HZO/LSMO/LAO器件神经突触仿生特性

5.3 Pd/HZO/LSMO/LAO器件阻变机制分析

5.4 本章总结

第六章 结论与展望

6.1 结论

6.2 展望

参考文献

致谢

攻读学位期间取得的科研成果