基于氧化锌薄膜的忆阻器特性及神经突触仿生功能研究

目录

声明

第一章 绪 论

1.1 阻变存储器

1.1.1 阻变存储器的结构

1.1.2 主要性能参数

1.1.3 阻变材料

1.1.4 阻变机制

1.1.5 阻变存储器性能改善

1.2.1 氧化锌的晶体结构

1.2.2 氧化锌材料的应用

1.3 基于忆阻器的神经突触仿生研究

1.4 课题研究内容与意义

第二章 实验方法

2.1.1 匀胶机

2.1.2 磁控溅射

2.2 实验步骤

2.2.1 W/ZnO/FTO器件制备

2.2.2 Ag/ZnO/BNNSs/Pt器件制备

2.2.3 Ag/ZnO/AQDs/Pt器件制备

2.3 实验测试方法和表征设备

第三章 基于W电极ZnO薄膜的忆阻器研究

3.1 测试结果及分析

3.2 物理机制分析

3.3 本章小结

第四章 基于ZnO/BNNSs双层结构的阻变存储器研究

4.1 测试结果及分析

4.2 物理机制分析

4.3 本章小结

第五章 基于AQDs改善阻变存储器性能研究

5.1 测试结果及分析

5.2 本章小结

第六章 结论与展望

参考文献

致谢

攻读学位期间取得的科研成果