ВЛИЯНИЕ АНОДНОГО ОКИСЛА НА КОНЦЕНТРАЦИЮ ЭЛЕКТРОНОВ В n-СаАs

В.М. КАЛЫГИНА; В.В. ВИШНИКИНА; А.Н. ЗАРУБИН; Ю.С. ПЕТРОВА; М.С. СКАКУНОВ; О.П. ТОЛБАНОВ; А.В. ТЯЖЕВ; Т.М. ЯСКЕВИЧ

首页> 外文期刊>Физика >ВЛИЯНИЕ АНОДНОГО ОКИСЛА НА КОНЦЕНТРАЦИЮ ЭЛЕКТРОНОВ В n-СаАs

【24h】

ВЛИЯНИЕ АНОДНОГО ОКИСЛА НА КОНЦЕНТРАЦИЮ ЭЛЕКТРОНОВ В n-СаАs

机译：阳极氧化物对N-SaaS电子浓度的影响

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

获取外文期刊封面封底 >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Исследовано влияние анодного окисла на концентрацию электронов вблизи границы раздела Gа_2O_3-n-ОаАs. Получены кривые распределения электронов по координате в зависимости от напряжения анодирования, времени обработки оксидных пленок в кислородной плазме, температуры и длительности отжига. Снижение концентрации электронов в полупроводнике после нанесения анодного окисла объясняется появлением вакансий Gа, которые являются акцепторами в арсениде галлия.

机译：研究了阳极氧化物对Ga_2O_3-N-OAAA分区边界附近的电子浓度的影响。根据阳极氧化电压，氧化膜在氧等离子体，温度和退火持续时间内的加工时间获得坐标电子分布曲线。施加阳极氧化物后，减少半导体中的电子浓度是由于GA空位的出现，即Galiya砷化物中的受体。

著录项

来源
《Физика》 |2013年第9期|共6页
作者
В.М. КАЛЫГИНА; В.В. ВИШНИКИНА; А.Н. ЗАРУБИН; Ю.С. ПЕТРОВА; М.С. СКАКУНОВ; О.П. ТОЛБАНОВ; А.В. ТЯЖЕВ; Т.М. ЯСКЕВИЧ;
展开▼
作者单位

Национальный исследовательский Томский государственный университет г. Томск Россия;

Национальный исследовательский Томский государственный университет г. Томск Россия;

Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова Национального исследовательского Томского государственного университета г. Томск Россия;

Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова Национального исследовательского Томского государственного университета г. Томск Россия;

Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова Национального исследовательского Томского государственного университета г. Томск Россия;

Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова Национального исследовательского Томского государственного университета г. Томск Россия;

Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова Национального исследовательского Томского государственного университета г. Томск Россия;

Национальный исследовательский Томский государственный университет г. Томск Россия;

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 rus
中图分类物理学;
关键词
анодный окисел; отжиг; кислородная плазма; дефекты; вакансии галлия;

机译：阳极氧化物;退火;氧等离子体;缺陷;空位镓;

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. АКТИВИРОВАННАЯ СТЕРИЧЕСКИ НАПРЯЖЕННАЯ СВЯЗЬ C=N В N-ЗАМЕЩЕННЫХ n-ХИНОНМОНО-И ДИИМИНАХ. ХIII. РЕАКЦИИ N-АЛКИЛ(АРИЛ, ТРИФТОРМЕТИЛ)СУЛЬФОНИЛ-, N-АРИЛСУЛЬФИНИЛ- И N-АРИЛСУЛЬФАНИЛ-1,4-БЕНЗОХИНОН-МОНОИМИНОВ СО СПИРТАМИ [J] . А.П.Авдеенко, С.А.Коновалова, О.Н.Михайличенко Журнал органической химии . 2012,第5期

机译：在N取代的n-喹诺酮和二亚胺中，活化的空间应力键C = N.十三。 N-烷基（芳基，三氟甲基）亚磺酰基-，N-芳基苯磺酰基-和N-芳基苯乙烯基-1,4-苯并醌-单亚胺与醇的反应
2. КАТАЛИЗ В СИНТЕЗЕ 8,N-ГЕТЕРОЦИКЛОВ И O,N-, 8,N- И O,8,N-МАКРОГЕТЕРОЦИКЛОВ [J] . Е.Б.Рахимова, И.В.Озден, А.Г.Ибрагимов Журнал органической химии . 2018,第7期

机译：合成8，N- Gesterocyclov和O，N-，8，N-和O，8，N-甲基醚型CLOV催化
3. Synthesis, spectral, structural and computational studies on NiS4 and NiS2NP chromophores: Anagostic and C-H center dot center dot center dot pi (chelate) interactions in [Ni(dtc)(PPh3)(NCS)] (dtc = N-(2-phenylethyl)-N-(4-methoxybenzyl)- dithiocarbamate and N-(2-phenylethyl)-N-(4-chlorobenzyl)dithiocarbamate) [J] . Sathiyaraj E., Selvaganapathi P., Thirumaran S., Journal of Molecular Structure . 2016,第Null期

机译：NiS4和NiS2NP发色团的合成，光谱，结构和计算研究：[Ni（dtc）（PPh3）（NCS）]中的Anagostic和CH中心点中心点中心点pi（螯合物）相互作用（dtc = N-（2-苯基乙基））-N-（4-甲氧基苄基）-二硫代氨基甲酸酯和N-（2-苯乙基）-N-（4-氯苄基）二硫代氨基甲酸酯）
4. 側鎖に N-ベンジリデンアニリンを有する高分子液晶配向フィルムの非光反応化及び異なる N-ベンジリデンアニリンの再形成 [C] . 西薗宗輝, 近藤瑞穂, 川月喜弘日本化学会春季年会 . 2020

机译：聚合物液晶取向膜与N-苄基 - 苯胺的非光学反应，用N-苄基苯胺重整不同的N-苄基 - 苯胺
5. Electrical Transport Properties of N- and P- Doped InSe: Bulk Crystals versus Exfoliated Layers [D] . Sun, Zheng. 2020

机译：n-和p-掺杂的电气传输性能：散装晶体与剥离层
6. Polyμ3-(E)-N-(pyridin-4-ylmethylidene)hydroxylaminato-κ3O:N:N′μ2-(E)-N-(pyridin-4-ylmethylidene)hydroxylamine-κ2N:N′(E)-N-(pyridin-4-ylmethylidene-κN)hydroxylaminedisilver(I) nitrate [O] . Shan Gao, Seik Weng Ng 2012

机译：聚μ3-（E）-N-（吡啶-4-基亚甲基）羟氨基-κ3O：N：N′ μ2-（E）-N-（吡啶-4-基亚甲基）羟胺-κ2N：N （E）-N-（吡啶-4-基亚甲基-κN）羟胺分散剂（I）硝酸盐
7. Technical report on N-(4-fluorophenyl)-N-(1-phenethylpiperidin-4-yl)isobutyramide (4-fluoroisobutyrylfentanyl; 4F-iBF). Annex 1 to the Risk Assessment Report on N-(4-fluorophenyl)-N-(1-phenethylpiperidin-4-yl)isobutyramide (4-fluoroisobutyrylfentanyl; 4F-iBF) [O] . Brandt SD, Elliott S, Evans-Brown M, 100

机译：关于N-（4-氟苯基）-N-（1-苯乙基哌啶-4-基）异丁酰胺（4-氟异丁酰基芬太尼; 4F-iBF）的技术报道。 N-（4-氟苯基）-N-（1-苯乙基哌啶-4-基）异丁酰胺（4-氟异丁酰基芬太尼; 4F-iBF）风险评估报告附件1

ВЛИЯНИЕ АНОДНОГО ОКИСЛА НА КОНЦЕНТРАЦИЮ ЭЛЕКТРОНОВ В n-СаАs

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅