СИНТЕЗ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК НА БАЗЕ МАТЕРИАЛОВ GE-SI-SN С ГЕТЕРОПЕРЕХОДАМИ GE/GESN, GE/GESISN, GESN/GESISN

摘要

Представлены результаты исследований по синтезу гетероструктур на основе материалов Ge-Si-Sn методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. Формирование эпитаксиальных пленок контролировалось с помощью дифракции быстрых электронов в процессе роста структур. Выращены пленки с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn при содержании Sn от 2 до 10 % в области температур 150-350 °С. Напряженное состояние, структура и параметр решетки изучены методом рентгеновской дифрактометрии с использованием кривых качания и карт обратного пространства. Получена деформация растяжения 0.86 % в пленке Ge при росте структуры Ge/Ge 0.9Sn 0.1/Si.