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コリメータスパッタによる傾斜異方性膜の作製

机译:准直溅射制备倾斜各向异性膜

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摘要

斜方入射コリメータスバッタ堆積を用いてビットパターン媒体用傾斜磁気異方性膜の作製を検討した。アニール処理したTa/Pt/Ru下地膜上に形成した膜厚10nmのCo-Pt_(20)層において磁気異方性軸が10°程傾いていると見積もられた。この傾きは、膜の結晶配向の傾きとほぼ一致した。この膜の異方性磁界は、実測のヒステリシスループとシミュレーションによるループの印加磁界角度依存性とを比較することで12kOe程と見積もられた。この異方性磁界と飽和磁化より傾斜異方性膜の磁気異方性エネルギー密度は6·10~6 erg/cm~3と見積もられた。斜方入射コリメータスパッタリングは高い異方性を持った傾斜異方性記録メディアの作製に有効であることがわかった。
机译:为位模式媒体倾斜磁性各向异性膜的制备,使用斜入射准直battter沉积检查。 据估计,在磁各向异性轴在一个CO-PT_(20)层靠在其厚度的形成在TA /铂/钌10nm的下层用的退火处理。 这个斜率与薄膜的晶体取向的斜率基本一致。 该膜的各向异性磁场,估计通过比较所测量的磁滞回线,并通过模拟循环的所施加的磁场角度依存性为约12 KOE。 从该各向异性磁场和饱和磁化强度的倾斜各向异性膜的磁各向异性能量密度估计为6·10 6尔格/厘米3。 斜入射准直溅射被认为是有效地产生一个高各向异性的基于梯度各向异性记录介质。

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