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机译:使用稀土化金属薄膜的垂直霍拉姆装置的提议
東京工業大学電子物理工学専攻;
東京工業大学電子物理工学専攻;
東京工業大学電子物理工学専攻;
Department of Physical Electronics Tokyo Institute of Technology 2-12-1-S3-42 O-okayama Meguro-ku Tokyo 152-8552;
Department of Physical Electronics Tokyo Institute of Technology 2-12-1-S3-42 O-okayama Meguro-ku Tokyo 152-8552;
Department of Physical Electronics Tokyo Institute of Technology 2-12-1-S3-42 O-okayama Meguro-ku Tokyo 152-8552;
強磁性Hall効果; 希土類-連移金屬; 垂直磁気記録; 磁気弾性エネルギー; MRAM; ferromagnetic Hall effect; RE-TM; perpendicular magnetic recording; magnetoelastic energy; MRAM;
机译:使用稀土过渡金属薄膜的垂直霍尔MRAM元件的建议
机译:使用稀土过渡金属薄膜的垂直霍尔MRAM元件的建议
机译:使用稀土化金属薄膜的垂直霍拉姆装置的提议
机译:使用稀土化金属(RE-TM)合金的MTJ元件的热辅助磁化反转
机译:间隙稀土过渡金属化合物的磁性理论研究见用法统计
机译:稀土或过渡金属离子掺杂的量子分解和余辉荧光粉的光物理性质和光电流特性的研究