Проводимость высокоомных чистых и легированных РЗЭ кристаллов GaSe

摘要

Исследована кинетика проводимости нелегированных и легированных РЗЭ (Gd, Ho, Dy; N_(РЗЭ)≈10~(-5)-10~(-1) ат. %) высокоомных кристаллов моноселенида галлия при различных условиях. Установлено, что в области Т≤150 К при не очень высоких значениях приложенного внешнего напряжения проводимость кристаллов достигает постоянного значения медленно, а в области T≤ 300 К при длительном выдерживании образцов под действием напряжения, большего некоторого граничного значения, наблюдается электрическая "утомляемость" материала. Предложена энергетическая модель, качественно объясняющая полученные результаты.