СПЕКТРЫ ПРОПУСКАНИЯ И ГЕНЕРАЦИЯ ТЕРАГЕРЦОВЫХ ИМПУЛЬСОВ В СТРУКТУРАХ SIO_2-GASE, TIO_2-GASE, GA_2O_3-GASE И GASE:S

摘要

Проведено термическое и магнетронное напыление аморфных тонких пленок SiO_2, TiO_2 и Ga_2O_3 на поверхность кристаллов GaSe. Установлено, что при различных технологических условиях слои SiO_2 и TiO_2 на поверхности GaSe растрескиваются, в то время как Ga_2O_3 образует совершенные пленки. Проведено сравнение спектров пропускания и эффективности генерации терагерцовых импульсов в структурах SiO_2-GaSe, TiO_2-GaSe и Ga_2O_3-GaSe и кристаллах GaSe:S 0.9 мас. % и GaSe:S 7 мас. %. Установлено, что с ростом концентрации серы в кристаллах GaSe:S эффективность генерации терагерцового излучения при оптическом выпрямлении фемтосекундных лазерных импульсов уменьшается. Среди исследованных пленок на поверхности GaSe наименьшее влияние на эффективность генерации оказывает пленка SiO_2.