公开/公告号CN100356524C
专利类型发明授权
公开/公告日2007-12-19
原文格式PDF
申请/专利权人 克里公司;
申请/专利号CN03814624.X
申请日2003-06-10
分类号H01L21/324(20060101);C30B33/02(20060101);C30B29/36(20060101);
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人秦晨
地址 美国北卡罗莱纳
入库时间 2022-08-23 09:00:08
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2007-12-19
授权
授权
2005-10-26
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-08-31
公开
公开
机译: 高纯碳化硅晶体中半绝缘电阻率的制造方法
机译: 高纯碳化硅晶体中半绝缘电阻率的制造方法
机译: 高纯碳化硅晶体中半绝缘电阻率的制造方法