СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Bi_2Te_(3-x)Se_x, ЛЕГИРОВАННЫХ ОЛОВОМ

摘要

Изучены электрофизические свойства твердых растворов Bi_(2-y)Sn_yTe_(3-x)Se_x Показано, что легирование оловом изменяет характер температурной зависимости коэффициента термо-э.д.с. и электропроводности монокристаллов. Это указывает на существование примесных резонансных уровней Sn, расположенных на фоне спектра валентной зоны. Методом просвечивающей электронной микроскопии исследованы дефекты кристаллического строения и дислокационная структура Bi_2Te_3 и твердых растворов Bi_(2-y)Sn_yTe_(3-x)Se_x. Установлено, что преобладающим видом дефектов в данных монокристаллах, полученных методом Чохральского, являются расположенные в плоскости базиса (0001) дислокации. Оценочная плотность дислокаций составляет 10~8-10~9см~(-2) Плоскостью скольжения дислокаций является плоскость базиса. Из анализа электронно-микроскопических снимков выявлено присутствие дефектов упаковки и очень малых дислокационных петель, как в Bi_2Te_3, так и в монокристаллах Bi_(2-y)Sn_yTe_(3-x)Se_x. Поскольку все исследуемые образцы монокристаллов являются сильно вырожденными полупроводниками, можно предположить, что наблюдаемые дефекты кристаллической структуры в указанных твердых растворах не будут оказывать существенного влияния на их электрофизические свойства.