光電子分光法によるSi系材料ナノ構造の評価

廣瀬和之; 服部健雄

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光電子分光法によるSi系材料ナノ構造の評価

机译：光电子光谱法评价Si基材料纳米结构

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半導体研究に不可欠な分析手法である光電子分光法について，主としてSi系材料ナノ構造の評価の観点から解説する．光電子分光法の歴史と光電子スペクトル解析のための実践的手法について述べる．それとともに，最先端のMOSFETの開発に有益な新しい測定·解析手法を紹介する．

机译：从评估基于Si的材料纳米结构的观点来看，主要用于光电子谱的观点来看，这是半导体研究的基本分析方法。描述了光电子光谱和光电子体光谱分析史的实用方法。此外，我们介绍了用于开发尖端MOSFET的新测量和分析方法。

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来源
《应用物理》 |2011年第11期|共6页
作者
廣瀬和之; 服部健雄;
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作者单位

宇宙科学研究所宇宙航空研究開発機構〒252-5210相模原市中央区;

東北大学未来科学技術共同研究セン夕一究〒980-8579仙台市青葉区荒巻字青葉6;

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类应用物理学;
关键词
XPS; photoelectron; semiconductor; Si; SiO_2; interfaces; MOSFET; composition; defects;

机译：XPS;光电子;半导体;Si;Si;SiO_2;接口;MOSFET;组成;缺陷;

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