新しいナノ構造形成技術：プラズマ異方性CVD

摘要

集積回路の高集積化·高速化はトランンジスタの微細化により実現されてきたが，今後は配線における断線や信号伝搬遅延が高集積化·高速化に対する最大の障害となる．このためAlよりも抵抗率が低く，許容電流密度が大きい銅が配線に用いられるようになっている1）．配線幅は2012年に0.05μmになると予想されているものの，電気メッキを用いた現在の技術では，このような極微細銅配線を形成できる見込みがないのが現状である．極微細配線は，今後の大規模免横匝＝格のみならず，将来の量子効果素子を用いた超高速·超大規模集積回路においても必要とされる．極微紺銅配線の実現には，①低抵抗率のための高純度化②大許容電流密度のための大結晶粒化と高給晶配向性化③微細化へ対応するための極微椰穴への蝕め込み，または電気メッキ用シード層としての極薄均一薄膜の形成，④低コスト化のための高速成膜，⑤化学機械研磨に耐えるための下地への強い密着力の5つの要求を同時に満足する必要がある．極微紳銅配線の形成法としてはCVD法が有望であるものの，上記の全ての要求を満足する技術は確立されていない．これに対して，輩者等は独自に考案·開発したH原子瀬付きプラズマCVD装慢を用いることによ、り，'①高純度銅削膿形成，②結晶粒径増大化③表面の平滑化④塩込特性向上が可能なことを示してきた．さらに，微細トレンチの側壁には堆概せず，トレンチ底面から優先的に成膜が進むプラズマ輿方性CVDが実現できることを示した2,10）．本稿ではこのプラズマ興方性CVDについて紹介する.