SOI-MOSFETで「谷自由度」を制御シリコン薄膜に新たな量子力学的性質量子情報処理などに応用の可能性

摘要

NTT物性科学基礎研究所·量子電子物性研究部の平山祥郎部長と高品圭シニアリサーチアソシュイトらは、SOI-MOSFET（シリコン酸化膜でシリコンを挟hだシリコン薄膜トランジスタ）において、一般的なMOSFETに見られる膜の薄さ、すなわち2次元的な閉じ込めによる量子効果だけではなく、「谷自由度」という量子力学的な性質を制御できることを明らかにした。 これにより、新しい物性の出現や新機能を持つデバイス、谷自由度の量子情報処理への応用などの可能性が広がるという。