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【24h】

フリップチップ接合用Sn-Ag-Cu系はhだバンプのせh断疲労特性におよばすAg濃度の影響

机译:用于倒装芯片键合的Sn-Ag-Cu系统是H凸起和Ag浓度的影响通过H衰落特性

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摘要

高密度実装の要求から,格子状に配列したチップ入出力端子上に突起電極(バンプ)を形成して直接配線板の電極端子と接合するフリップチップ実装(図1参照)が高性能デバイスに導入されるようになった.この方式では,ワイヤーボンディングに対し,単位面積当りの入出力端子数の大幅な増加が可能となる.また,接続配線長が短くなるのに加え,ボンディングワイヤによるインダクタ成分が除去できるので電気的特性が向上し高速動作が可能となるなどの利点を有する.
机译:从对高密度安装的需求,通过将突出电极(凸块)形成到布置在网格布置的芯片输入/输出端子上,将倒装芯片安装(参见图1)引入高性能装置。它来了要做。 在该方法中,可以显着增加每单位面积的输入/输出端子的数量以进行引线键合。 此外,除了缩短连接布线长度之外,可以去除引起的键合线引起的电感器分量,并且可以提高电特性并且可以执行高速操作。

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