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周期加熱サーモリフレクタンス法を用いたフリップチップ実装構造バンプ接続部における界面熱抵抗測定手法の開発―高温劣化試験による界面熱抵抗および電気抵抗の測定

机译:使用周期性加热热泌热方法 - 通过高温劣化试验测量透翻芯片安装结构凸块连接中倒芯片安装结构凸块连接的界面热阻测量方法。通过高温劣化试验测量界面热阻和电阻

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摘要

近年,プロセス技術の発達に伴い,集積回路の発熱密度が増加したため,様々な熱問題が発生している.このため,現在,集積回路の高集積化は限界に近付いている.集積回路の更なる高集積化のためには,より大規模な熱設計が必要となる.しかし,スマートフォン等に代表される小型デバイスには,十分な冷却機構を搭載することが困難である.このため,必要十分な熱設計を行うために,正確な熱物性値が必要となる.フリップチップ実装構造のバンプ接続部は,主な熱の流路である.このため,高温動作により,金属間化合物の生成やボイドの発生といった,バンプ接続部の経時劣化が報告されている.これにより,バンプ接続部における界面熱抵抗は増加する.しかし,バンプは,マイクロスケールであるため,現在,バンプと基板間における界面熱抵抗の測定例は存在しない.本研究では,周期加熱サーモリフレクタンス法を用いた,フリップチップ実装構造のバンプと基板間における界面熱抵抗測定手法の開発を行っているとともに,劣化による界面熱抵抗変化を検知することを目標としている.これにより,バンプ接続部の劣化を考慮した熱設計をより精密に行うことが可能となるため,集積回路の更なる高集積化に繋がると考えられる.本報では,250°Cの高温放置試験により,バンプを劣化させた際に,界面熱抵抗および電気抵抗の測定を行ったので,それについて報告する.
机译:近年来,随着过程技术的发展,由于集成电路的发热密度增加,因此发生了各种热问题。因此,集成电路的高集成目前正在接近极限。为了进一步高度集成集成电路,需要较大的热设计。然而,这是难以安装用于通过智能电话等为代表的小型设备足够的冷却机构。因此,需要精确的热特性值来执行必要的足够的热设计。倒装芯片安装结构的凸块连接部分是主热流路。因此,由于高温操作,据报道,报告凹凸连接的时间劣化,例如金属间化合物的产生和流空隙的产生。这增加了凸块连接处的界面热阻。然而,由于凸块是微观尺寸的,因此目前没有凸块和基板之间的界面热阻的测量例。在这项研究中,我们正在开发倒装芯片安装结构和使用周期加热热反射法在基片之间的界面的热电阻测量方法的凸块,并且目标是检测由于劣化界面热阻的变化。有。结果,考虑到凸块连接部分的劣化,可以更精确的热设计,因此被认为连接到集成电路的进一步高度集成。在本报告中,当凸块在250℃下通过高温阴性试验劣化时,我们测得界面热阻和电阻。

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