決着のついた次世代露光技術をめぐる論争--2010年以降の本命は極端紫外線（EUV）露光に

摘要

高度情報化社会（ユビキタス社会）の実現をめざして私たちの生活を激変させつつある電子·IT産業。 それを支える主役が、すさまじい勢いで進化を続ける半導体集積回路·LSIである。 LSIの進化の歴史を一言で表現すれば、それは微細化·高集積化の歴史である。 この歴史を常に先導してきた技術が、光による露光技術（光りソグラフイ技術）であり、親在の最先端デバイスは、波長193nmのArF（アルゴン·フッ素）エキシマレーザを利用した縮小投影露光装置（ステッパ）によって、ウェーハ上に回路パターンが焼き付けられている。 さらに次世代の微細化技術として、ArF液浸（ArFステッパの対物レンズとウェーハの間に、水などの透明な液体を浸漬させて解像度を向上させる技術）の開発が進hでいる。 では「ArFの次は何か？ 」ArFの延長上にある技術では、2010年以降に最先端となるLSIの量産は困難と考えられている。 したがって、来るべきユビキタス社会を実現するLSI量産のためには、ArFの後継となる次世代露光技術（NGL：Next Generation Lithography）が不可欠である。 そこで、F_2（フッ素）ユキシマレーザ、極端紫外線、X線、電子線など多くの技術が候補としてあがり、NGLの座を巡って世界中で様々な研究と論争が行われてきた。 それはまさに百花瞭乱の時代であり、露光技術の世界は、かつて経験したことのない混沌の状況にあった。