小型·低損失インバータを実現する新回路技術

摘要

電力変換装置のパワー密度（装置出力/装置体積）は，図1に示されるように，ここ30年間で2けた以上の改善がされている。 これらは，主としてパワー半導体（以下，素子と略記）の性能改善により成し遂げられた。 このインバータ用素子として確固たる地位を占めたのがIGBTである。 このIGBTは，数回の大きな世代変遷を経て，開発当初の1/3以下の電力損失まで大幅な改善を遂げ，現在も改善が続いている。