次世代パワー半導体デバイス技術開発で前進，低損失と大出力を実現11kWのSiCインバーターで，世界最高値となる電力損失約70％低減を実証

摘要

三菱電機照は．次世代パワーー半導体材料として期待rnされているSiC（炭化ケイ素）を周いた11kWのインrnバーターーが．電力損失を現在了三流のSiくケイ素）パワーrnデバイス（IGBT）を用いたインバーターーに比べてrn約70％低減（世界最高値）できることを実証した。