机译:通过表面氢退火提高ZnO基自由成形忆阻器的高开关比
resistive switching; surface hydrogen annealing; forming-free; Arrhenius activation theory; oxygen vacancies drifting;
机译:通过表面氢退火提高ZnO基自由成形忆阻器的高开关比
机译:通过在氢气气氛中进行后退火改善Fe纳米粒子的饱和磁化强度
机译:氧气和真空退火后的低温表面饱和后,氢气在注入氢的硅晶片上的缺陷缺陷层上的吸气
机译:通过氧气和真空退火后,在低温表面饱和后在氢气注入的硅晶片中将氧气吸收到埋入的缺陷层上
机译:ZnO和ZnO基薄膜合金退火的函数的温度依赖带边缘分布分析
机译:无成形ZnO纳米晶薄膜的合成及忆阻效应
机译:低功耗,自整流和无形的忆内电阻,具有用于高密度横杆应用的不对称编程电压