机译:原子层沉积的高k MOS结构中GeO2 / Ge界面缺陷的选择性钝化
Al2O3; Ge; high-k; interface traps; first-principles modeling;
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机译:用原子层沉积高k电介质封装层的电荷捕获存储器
机译:使用III-V半导体在原子层上沉积高k栅极电介质的MOS接口的研究。
机译:热收支对沉积HfSiO / TiN栅堆叠MOSCAP结构的原子层电学特性的影响
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