フィールドプレートを有する高耐圧·高出力AlGaN/GaNリセスゲートFET

摘要

SiC基板上にフィールドプレート (FP) を有するAlGaN/GaNリセスゲートFETを作製した。 W{sub}g=4mm の素子において64V動作で飽和出力35W (8.7W/mm) 、線形利得15.5dB、電力付加効率69％の特性を得た。 またW{sub}g=30mmの素子において46V動作で飽和出力131W (4.4W/mm) 、線形利得7.4dB、電力付加効率59％の特性を得た。