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All-Pass回路を用いた超小型C帶5ビットMMIC移相器

机译:超紧凑的C 5位MMIC移相器使用全通电路

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摘要

本報告では,C帯以下の比較的低い周波数帯において,小型化に適した移相回路構成とその設計法を述べる.本多相回路は,スイッチング素子であるFET(Field Effect Transistor)がピンチオフ時に呈する容量を.位相遅延を得るAll-Pass回旨の一部として利用している.回路サイズを決定する要因であるAll-Pass回路のTransition周波数(位相遅延量が最大値1800二なる周波数)は,動作周波数帯よりも高く設定することが可能なため,低い周波数帯においても移相回路のサイズを小さくすにとができる.提案するAll-Pass移相回路を用いて,C帶5ビットMMIC移相器を試作した結見比帯域10%にて,通過損失5.7dB+/-0.8dB,移相量誤差2.30以下と良好な特性を得ることができた.サイズはl.72mmx0.81mm(1.37mm~2)と非常に小型でり,軽奏する移相回路の有効性を確認した.
机译:在本报告中,相对低频带下方的C波段描述了适用于缩小尺寸的相移电路配置及其设计方法。 本田相电路,FET作为开关元件(场效应晶体管)是夹紧关闭的容量。 用作获取阶段延迟的All-Pass时代事实的一部分。 是确定电路尺寸全通路转换频率(频率相位延迟量变为最大值1800d)的因素,因为可以设置高于工作频带,即使在低频带中也减小了相移达到电路的大小。 使用在C Zinn 5位MMIC移相器形成的All-Pass移相电路,观察到的比例区域10%的原型,传输丢失5.7dB +/- 0.8dB,以及相移误差2.30或更少可以获得良好的财产。 尺寸非常小,L.72mmx0.81mm(1.37mm〜2),确认相移电路的有效性以光响应速率。

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