Si CMOS基板上ミリ波帯スパイラルインダクタとキャパシタの電磁界解析および実測評価

摘要

Rf回路設計に必須な基本素子の1つであるミリ波帯オンチップスパイラルインダクタ，MIM（Metal-Insulator-Metal）キャパシタの電磁界解析と実測の比較を行った。電磁界シミュレーターには有限要素法に基づくAnso食HFSSを用いた。マイクロストリップ線路の励振モデルとしてLumped Port（電圧給電），Wave Port（導波管給電）、およびそれらにThru-Line-De-embeddingの手法を用いることで励振モデルによる影響を考察し実測との比較を行った。Thru-Line De-embeddingを用いた結果はLumped Port、Wave Port給電のどちらでもSパラが一致し、実測値と良好な一致が見られた。