SID2013報告会－Active-Matrix Devices II oxide

摘要

SID2013で発表されたアクティブマトリックスデバイスの中で特に酸化物半導体を用いた内容について報告する。高移動度を実現できる新たな酸化物半導体としてZnONを提案している。成膜には、AKT4300 DCスバッタ装置で反応性スバッタ法を用いている。ターゲットは金属Znを用い、O_2とN_2の組成、製膜圧力、パワー、基板加熱温度等の製膜条件を変えて組成を制御している。Table 1に作成したZnON膜の成膜後と、400°C 1時間アニール後のHole mobilityとCarrier濃度を示す。膜質のO_2ガス流量依存性を以下に示す。O_2流量が0sccmの時は、Zn_3N_2が形成される。O_2量が5～40sccmの時は、ZnOとZn_3N_2の結晶形成は抑制され非晶質又は微結晶状態のZnO膜が形成される。O_2流量が50ccmの時は、ZnO結晶にNがドーピングされた状態の薄膜が形成された。高移動度は、結晶Zn_3N_2とZnOの生成が抑えられた時に得られることが分かった。