バイヤス法によるパラジウム基板上へのダイヤモンド核形成

摘要

本研究は2段階及び3段階の合成プロセスによってダイヤモンド薄膜の合成を試み，バイアス処理がダイヤモンド核形成に及ばず影響を検討した．その結果，1段階のバイアス処理と膜成長の2段階合成プロセスで得られたダイヤモンドの核形成密度は1×107cm~(-2)で，粒子状の析出であった．それに対して，2段階のバイアス処理と膜成長の3段階合成プロセスで得られたダイヤモンドの核形成密度は1×109cm~(-2)で，Pd基板全面に均一な薄膜を形成することが可能になった．以上の結果，炭素固溶度の高いPd基板上に均一なダイヤモンド薄膜をバイアス法で合成するためには2段階のバイアス処理（1段階目に炭素過飽和層の形成，2段階目に更なるダイヤモンド核形成の促進）を施すことが不可欠であることが分かった．