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絶縁体中に分散させたカーボンナノチューブにより作製した電子放出源

机译:通过分散在绝缘体中的碳纳米管制备的电子发射源

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摘要

絶縁体中にカーボンナノチューブを分散させることにより、高効率な電子放出源を作製することを提案した。 導体表面に垂直配向させたナノチューブを真空中に置くよりは、絶縁膜中に分散させる方がより機械的に安定であり、放熱効果も良好であると期待できる。絶縁膜の比誘電率が真空よりも大きいために、ナノチューブ近傍の電界強度が低くなり、等価的にアスペクト比を小さくすることが問題となると予測できる。 実際にゾル·ゲル法でナノチューブを分散させた電界放出電極を作製し、電界放出を確認した。
机译:通过将碳纳米管分散在绝缘体中,提出了产生高效的电子发射源。 它更具机械稳定,可以在绝缘膜中分散,而不是将垂直于导体表面的真空置于真空,并且预期散热效果也很好。 由于绝缘膜的介电常数大于真空,因此纳米管附近的电场强度降低,并且可以预测纵横比等等同降低。 制备其中纳米管实际分散通过溶胶 - 凝胶法分散的场发射电极,并确认场发射。

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