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【24h】

新しいCu(InGa)Se{sub}2製膜技術

机译:新型铜(INGA)SE {SUB} 2膜形成技术

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摘要

太陽スペクトルに整合したバンドギャップ1.4eVにおいて,高品質CIGS薄膜を開発する我々の取組みを紹介した.このような新規製膜手法の開発は,日本において活発であり,本報告で述べたように,いくつかの手法が提案されている.これに対し欧米では,基礎的な物性評価から太陽電池特性を向上させるという取組みが盛hであり,基礎評価という点で日本からの発信が少ないと感じられる.プロジェクト自体として効率が問われるのは当然としても,日本からも基礎評価に対して多く貢献できるようにして行きたい.
机译:在带隙1.4 EV与太阳光谱一致,我们介绍了开发高质量的CIGS薄膜。 这种新的薄膜形成方法的开发在日本活跃,已经提出了几种方法,如本报告所述。 另一方面,在欧洲和美国,从基本物理性质评估中提高太阳能电池特征的方法已满,有人认为在基本评估方面与日本几乎没有出发。 理所当然,项目本身可用于从日本贡献许多人来贡献日本的基本评估。

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