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【24h】

新しいCu(InGa)Se{sub}2製膜技術

机译:新的Cu(InGa)Se {sub} 2成膜技术

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摘要

太陽スペクトルに整合したバンドギャップ1.4eVにおいて,高品質CIGS薄膜を開発する我々の取組みを紹介した.このような新規製膜手法の開発は,日本において活発であり,本報告で述べたように,いくつかの手法が提案されている.これに対し欧米では,基礎的な物性評価から太陽電池特性を向上させるという取組みが盛んであり,基礎評価という点で日本からの発信が少ないと感じられる.プロジェクト自体として効率が問われるのは当然としても,日本からも基礎評価に対して多く貢献できるようにして行きたい.
机译:我们介绍了我们的努力,以开发具有1.4 eV的带隙且与太阳光谱匹配的高质量CIGS薄膜。在日本,这种新的成膜方法正在积极发展,并且如本报告所述,已经提出了几种方法。另一方面,在欧美,通过基本物性评价来提高太阳能电池的特性的工作正在积极进行中,从基本评价方面看,来自日本的传播很少。不用说,项目本身的效率受到质疑,但是我想使日本有可能为基础评估做出很多贡献。

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